【據Pv-magazine網站3月19日報道】近日，日本東京工業大學和早稻田大學的一個研究團隊，開發出一種生產單晶硅薄膜太陽能電池的新技術，在降低大規模生產成本同時，保持高的電池效率。
研究人員稱，他們開發的高質量單晶硅薄膜，厚度約為10μm，晶體缺陷密度低。此外，其制備速度比以前提高10倍以上。
研究人員解釋道，通過區域加熱重結晶法（ZHR法），使表面粗糙度達到0.2?0.3nm。然后將得到的基底用于高速生長，以形成具有高結晶質量的單晶薄膜。研究人員補充說：“使用雙層多孔硅層，可以輕松的剝離生長的薄膜，并且基底及蒸發源可重復使用，大大減少了材料損耗。”
此外，研究過程中還發現，在0.1-0.2nm范圍內的表面粗糙度對晶體缺陷的形成具有重要影響，晶體缺陷的形成也是晶體生長機制的重要影響因素。
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