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CuInSe₂（CISe）納米晶具有低毒性、較高的光吸收系數和較寬的光譜吸收范圍等優勢在太陽能電池、光電催化、光電探測器等光電器件領域展現出巨大的應用潛力。然而，同質異相結構CISe納米晶的精準合成仍然存在挑戰。

北京科技大學田建軍教授與香港城市大學Andrey Rogach教授團隊在ChemNanoMat上報道了一種同質異相結構CISe納米晶的合成方法，通過形核溫度調控同質異相納米晶的形貌和尺寸，得到四足狀結構、核殼結構和中空結構的CISe納米晶。

一般來說，CP相是CISe的熱力學穩定相，WZ相是亞穩態相，成核溫度升高有利于CP相CISe的形成，且CP相CISe納米晶的尺寸隨溫度升高逐漸變大，因此，同質異相結構CISe納米晶中CP相的比例增大。同時較高的反應溫度提供了克服勢壘的能量，剩余的前驅物在CP相CISe核表面形成亞穩態的WZ-CISe。該工作提供了一種制備同質異相結構納米晶的新方法，對研究相結構對半導體納米晶的物理化學性能具有重要意義。