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（2）在0.1 M Na₂SO₄溶液中，B-MoS₂-300納米片在-0.75 V vs.?RHE時獲得了75.77 μg h^-1?mg^-1_cat.的優異產氨率，以及在-0.60 V vs. RHE時達到了40.11%的出色法拉第效率。此外，B-MoS₂-300納米片還表現出良好的選擇性和化學穩定性，反應過程中沒有副產物肼的生成，并且在6個循環和12小時長期電解實驗中產氨率和法拉第效率沒有明顯的下降。

（3）基面活化的硼摻雜MoS₂納米片優異的電催化氮氣還原性能主要歸因于以下幾個方面：一方面金屬相1T-MoS₂自身的高電導率保障了電子的傳輸速率；另一方面，硼的成功摻入擴大了MoS₂的層面間距，并且硼原子可以作為活性位點起到基面活化作用，為NRR提供更多的活性位點。

（4）密度泛函理論計算表明，B的摻雜激活了1T-MoS₂的基面，使得N₂在基面上的吸附更容易，促進了NRR過程。在NRR過程中，在B摻雜的1T-MoS₂的邊緣處氮吸附自由能的變化遠低于純1T-MoS₂，這說明硼原子的摻入可以提高B摻雜的1T-MoS₂的N₂吸附能力。B摻雜的1T-MoS₂的電勢決定步驟（PDS）比純1T-MoS₂更低，進一步說明在B摻雜的1T-MoS₂上N₂活化和還原比純1T-MoS₂更有利。