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傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備石墨烯需要經(jīng)過復(fù)雜的操作轉(zhuǎn)移到目標基底上才能應(yīng)用于實際電子器件的構(gòu)筑，不可避免地會造成石墨烯的質(zhì)量損害和表面污染，從而影響其光電性能與實際應(yīng)用。而直接在絕緣基底上沉積石墨烯將有效解決這一問題。由于絕緣基底表面缺少催化活性，制備石墨烯需要長時間的高溫等苛刻條件，引入金屬納米顆粒催化劑可以降低反應(yīng)溫度并加快石墨烯的生長速度。影響石墨烯薄膜透過率有兩部分因素：(1) 石墨烯薄膜本身對于光的吸收；(2) 基底對于光的反射。其中后者常常被忽略。優(yōu)化石墨烯薄膜質(zhì)量并減少基底對光的反射能夠明顯地提高石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的光電性能。